基本信息
标准名称: | 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 |
英文名称: | Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon |
中标分类: | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
ICS分类: | |
替代情况: | 被GB/T 3389-2008代替 |
发布部门: | 国家技术监督局 |
发布日期: | 1992-02-19 |
实施日期: | 1992-10-01 |
首发日期: | 1992-02-19 |
作废日期: | 1900-01-01 |
主管部门: | 国家标准化管理委员会 |
提出单位: | 中国有色金属工业总公司 |
归口单位: | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
起草单位: | 峨嵋半导体材料研究所 |
起草人: | 过惠芬、陈永同、吴道荣 |
出版社: | 中国标准出版社 |
出版日期: | 1992-10-01 |
页数: | 平装16开, 页数:19, 字数:34000 |
适用范围
本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。本标准适用于掺杂剂浓度1012~1021cm-3(电阻率0.0001~10,000Ω·cm)掺硼硅单晶和1012~5×1020cm-3(电阻率0.0002~4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算,也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类: 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法